三星电子为达到「全球榜首代工企业」的方针，在三星代工论坛2019（Samsung Foundry Forum 2019）上，宣布新一代3纳米闸极全环（Gate-all-around）制程。

  据韩媒《ZDNet Korea》报导，3纳米闸极全环制程是让电流通过的圆柱形通道环绕在闸门，和鳍式场效晶体管（FinFET）的结构比较，该技能能愈加精细地操控电流。

  若将3纳米制程和最新量产的7纳米FinFET比较，芯片面积能削减45％左右，一起削减耗电量50％，并将功能进步35％。

  当天活动中，三星电子将3纳米工程规划套件发送给半导体规划企业，并同享人工智能（AI）、5G移动通讯、无人驾驶、物联网（IoT）等第四次产业革命的中心半导体技能。工程规划套件在代工公司的制作制程中，支撑优化规划的数据文件。半导体规划公司能通过此文件，更轻易地规划产品，缩短上市所需时刻、进步竞争力。

  一起，三星电子方案在3纳米制程中，通过独家的多桥接通道场效应晶体管（MBCFETTM）技能，争夺半导体规划公司的喜爱。多桥接通道场效应晶体管技能是逐渐开展的「细长的钢丝型态」的闸极全环结构，以轻浮、细长的纳米薄片进行仓库。该技能可以提高功能、下降耗电量，并且和FinFET工艺兼容性强，有直接使用现有设备、技能的长处。

  另一方面，三星电子方案鄙人个月5日于上海进行代工论坛，并于7月3日、9月4日、10月10日分别在韩国首尔、日本东京、德国慕尼黑举办代工论坛。

  关键字：三星电子引证地址：三星电子发布新一代3纳米制程 向“全球榜首代工企业”进军

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